ASML y TSMC impulsan una iniciativa para llevar las fotomáscaras de 6 a 12 pulgadas y aprovechar High NA EUV en la fabricación de chips cada vez más grandes para IA.

ASML,la mayor compañía de litografía para semiconductores,y TSMC,uno de los principales fabricantes de chips por contrato del mundo,impulsan una iniciativa para que la industria de semiconductores transite del actual formato de fotomáscaras de 6 pulgadas a uno de 12 pulgadas,como parte de la evolución de la tecnología de litografía High NA EUV (ultravioleta extrema de alta apertura numérica).
La iniciativa busca preparar a la industria para aprovechar a mayor escala las capacidades de High NA EUV en la fabricación de chips cada vez más grandes y complejos,particularmente los destinados a cargas de trabajo de Inteligencia Artificial (IA).
ASML y TSMC prevén establecer una línea piloto para fotomáscaras de 12 pulgadas en 2031,mientras que la tecnología estaría preparada para su utilización en producción de alto volumen hacia 2033.
Durante el proceso de litografía,la máscara permite filtrar la luz ultravioleta para proyectar el patrón sobre las obleas de silicio y definir los transistores y otras estructuras del chip.
Sin embargo,el desarrollo de procesadores cada vez más grandes para IA y Centros de Datos está aumentando las exigencias sobre el área que puede cubrir una exposición. Con las máscaras convencionales de 6 pulgadas,los fabricantes pueden necesitar dividir el patrón de un chip en diferentes exposiciones y unirlas posteriormente mediante una técnica conocida como stitching.
La transición a fotomáscaras de 12 pulgadas busca ampliar el campo de exposición,eliminar las restricciones asociadas con el stitching y aumentar la productividad de las fábricas,al tiempo que podría reducir los costos de fabricación.
La transición será gradual. La tecnología High NA EUV comenzará utilizándose en producción con las actuales fotomáscaras de 6 pulgadas,mientras que el nuevo formato de 12 pulgadas permitirá aprovechar posteriormente las capacidades de High NA para fabricar estructuras y chips de mayor tamaño.
ASML,el gigante europeo invisible que sustenta el desarrollo tecnológico moderno
La compañía planea utilizar la tecnología High NA de ASML en producción de alto volumen de nodos avanzados a partir de 2030. Conforme avance el escalamiento de los semiconductores,TSMC prevé que aumentará el número de capas que requieran esta tecnología,particularmente ante las mayores exigencias de procesamiento asociadas con la IA.
La colaboración con ASML permitirá a TSMC participar desde una etapa temprana en el desarrollo del ecosistema necesario para las fotomáscaras de mayor formato y contribuir a establecer las condiciones para su adopción industrial.
Samsung planea introducir la tecnología High NA EUV de ASML en la fabricación de alto volumen de DRAM para 2028,con lo que busca convertirse en la primera empresa de la industria en aplicar esta tecnología a la producción de memoria avanzada.
La implementación pretende extender la hoja de ruta de escalamiento de DRAM mediante una mayor resolución,así como simplificar procesos y mejorar la eficiencia de fabricación.
“La era de la IA está transformando la industria de semiconductores y aumentando la importancia de la innovación tecnológica en toda la cadena de valor”,declaró Young Hyun Jun,vicepresidente y CEO de Samsung Electronics.
Samsung también se incorporará a la iniciativa industrial para desarrollar fotomáscaras de 12 pulgadas,aprovechando su participación tanto en el negocio de memoria como en el de fundición de semiconductores.
Intel también ha trabajado durante más de tres años con ASML en la iniciativa para desarrollar fotomáscaras de mayor formato,junto con fabricantes de máscaras,proveedores de automatización,socios de EDA,proveedores de materiales y otros actores del ecosistema de semiconductores.
“Las empresas que construyen los productos de IA cada vez más complejos del futuro necesitan innovaciones de fabricación que estén listas para producción y sean fáciles de usar”,afirmó Naga Chandrasekaran,vicepresidente ejecutivo y cogerente general de Intel Foundry.
El fabricante de memoria busca aplicar procesos High NA EUV a la producción masiva de DRAM en 2028,en línea con la estrategia de Samsung para incorporar esta tecnología a la fabricación de memoria avanzada.
De esta manera,los principales fabricantes de chips y memoria están avanzando en paralelo en la adopción de High NA EUV,mientras ASML trabaja con ellos y con otros proveedores del ecosistema para desarrollar la infraestructura necesaria para la siguiente etapa de escalamiento.
ASML planea mostrar una línea piloto con fotomáscaras de 12 pulgadas en 2031 y tener la nueva tecnología preparada para producción de alto volumen hacia 2033.
“La colaboración estrecha con nuestros clientes se vuelve aún más importante” a medida que la industria entra en una nueva era impulsada por la IA,declaró Christophe Fouquet,presidente y CEO de ASML.